BC 858BL3 E6327 datasheet
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>> BC 858BL3 E6327 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BC 858BL3 E6327
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
制造商
Infineon Technologies
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
250 MHz (Typ)
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
相关资料
属性
链接
代理商
BC 858BL3 E6327
BC03
BC0401PC08-IXB-R
BC107
BC107/A/B
BC107B
供应商
公司名
电话
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市百润电子有限公司
17876146278
梁
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳庞田科技有限公司
13612858787
吴小姐
BC 858BL3 E6327 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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